德威世Vishay薄膜電容器BRCP
Vishay 的薄膜電容器包括可引線鍵合的單值、二元和條形 MOS 以及表面貼裝射頻電容器。
Vishay 薄膜條形 MOS 電容器
產品可能不按比例制作 條形電容器是種 MOS 電容器，為需要超高額定功率和微型外殼尺寸的混合組件而設計。
特征
• 堅固的 MOS 結構
• 允許多個引線鍵合。在低值時，案例 A 將接受 7 個債券，案例 B 將接受 15 個債券。
• 低D，高Q
• 的負載壽命穩定性
應用
• 混合組件
• 低通 LC、RC 或 LRC 集總濾波器
• DC 饋電的射頻阻塞
• 阻抗匹配
• SiC 或 GaN 高頻/大功率應用
筆記
(1) 見表“外殼尺寸值和公差"。
WV (DC) 值和公差
電容器型號 A B 單元
外殼尺寸 1204 2404
電容值 5 50 10 100 pF
公差 5 5 %
直流工作電壓 100 100 V
標準電氣規格
參數值單位
電容范圍 5 100 pF
容差，1 kHz (1) 低 ± 5 %
TCC，-55 ° 125 °C ± 50 ppm/°C
工作溫度范圍 -55 +150 °C
工作電壓 100 大。五
耗散因數，1 MHz 0.01 大值。
值穩定性，1 kHz，1000 h，70 °C，100 VDC ± 0.25 %
短時過載，2 x 額定電壓，25 °C，5 s ± 0.25 %
熱沖擊，MIL-STD-202，方法 107 F ± 0.25 %
防潮性，MIL-STD-202，方法 106* ± 0.25 %
高溫暴露，100 小時，150 °C ± 0.25 %
低溫運行，-65 °C，45 分鐘，100 VDC ± 0.25 %
型號：
B R C P A 1 0 0 0BK G C S T
C B A 3 7 5 0 CM A H W S
N C A A 4 7 0 0 C MAH K W S
C B B 3 1 0 0BL G K W S
Vishay 薄膜二進制 MOS 電容器
產品可能無法按比例縮放
每個 CBA MOS 電容器芯片都包含四個不同的二進制增量電容器，允許用戶在值選擇中進行多種選擇。有兩種版本的 CBA 電容器可供選擇：種總電容為 3.75 pF，另種總電容為 15 pF。
這些芯片采用 Vishay Electro-Films (EFI) 精密的薄膜設備和制造技術制造。 CBA 經過 100 的電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標準。
特征
• 可焊線
• 用戶值選擇
• 四個共同連接的電容器
• 電容范圍：0.25 pF 15 pF（二進制）
增量
• 電介質：二氧化硅
• 芯片尺寸：0.019" x 0.030"
• 基材：帶金背襯的硅
• 材料分類：關于合規性的定義
應用
Vishay EFI CBA 二進制 MOS 多值電容器芯片為需要修整微波電路的混合封裝而設計。這是在 CBA 芯片上通過傳統技術為所需電容和引線鍵合選擇鍵合焊盤來完成的。
Vishay 薄膜單值芯片和線電容器
與厚膜電容相比，NC系列薄膜電容具有更高性能和更小尺寸的優勢。這些芯片的尺寸小 20 百萬平方，電容高達 1000 pF。
零件需要環氧樹脂或共晶芯片連接到基板和個引線鍵合。
這些芯片采用 Vishay Electro-Films (EFI) 精密的薄膜設備和制造技術制造。 NC 經 1% 電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標準。
特征
• 可焊線
• 小尺寸：0.020 英寸見方 0.060 英寸
正方形
• 基材：帶有金背襯的硅
• 電介質：二氧化硅/氮化硅
• 電容范圍：0.5 pF 1000 pF
• 材料分類：
應用
Vishay NC 系列電容器芯片設計用于使用傳統引線鍵合技術組裝在混合電路中。它們提供的穩定性和性能，而且它們的小尺寸為混合設計者提供了更大的布局靈活性。它們可用作 MNOS 或 MOS 電容器。當需要低介電吸收時，MOS 版本。
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2022-10-17
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